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稀土摻雜半導(dǎo)體納米發(fā)光材料研究取得新進展

發(fā)布時間:2017/03/31 資訊 標簽:科學(xué)稀土瀏覽次數(shù):2478

         在科技部863和973計劃、國家自然科學(xué)基金、中科院“百人計劃”、福建省杰青項目等支持下,中科院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所中科院光電材料化學(xué)與物理重點實驗室陳學(xué)元研究員課題組在摻雜半導(dǎo)體納米晶研究方面取得新進展。該研究小組采用一種巧妙的技術(shù)路線,成功實現(xiàn)了稀土離子在TiO2納米晶中的體相摻雜,在銳鈦型TiO2球狀多晶聚集體中觀測到稀土離子的尖銳強發(fā)光。通過低溫高分辨熒光光譜實驗,對Er3+在TiO2納米晶中的局域電子結(jié)構(gòu)和晶體場能級進行了系統(tǒng)的分析和計算,首次實驗確定了占據(jù)單一格位的Er3+在銳鈦礦TiO2中的全部晶體場參數(shù)。   
 
 稀土離子和半導(dǎo)體納米晶(或量子點)本身都是很好的發(fā)光材料,二者的有效結(jié)合能否生出新型高效發(fā)光或激光器件一直是國內(nèi)外學(xué)者關(guān)注的科學(xué)問題。與絕緣體納米晶相比,半導(dǎo)體納米晶的激子玻爾半徑要大得多,因此量子限域效應(yīng)對摻雜半導(dǎo)體納米晶發(fā)光性能的影響變得很顯著,從而有可能通過尺寸調(diào)控來設(shè)計一些具有新穎光電性能的發(fā)光材料。同時由于稀土離子和基質(zhì)陽離子的離子半徑差異大,電荷不匹配,三價稀土離子一般很難以替代晶格位置的形式摻入半導(dǎo)體(如ZnO和TiO2)納米晶中。目前,國內(nèi)外研究結(jié)果大都只能得到稀土在半導(dǎo)體納米晶表面或近表面的弱發(fā)光。如何實現(xiàn)稀土離子的體相摻雜是目前這類材料面臨應(yīng)用的瓶頸,也是制備新材料面臨的挑戰(zhàn)。

  這些結(jié)果對于研究其它稀土離子在二氧化鈦半導(dǎo)體納米晶中的光譜性能以及局域結(jié)構(gòu)等有重要意義。研究成果9月20日在線發(fā)表在Small(DOI: 10.1002/smll.201100838)上。

  此前,該研究小組利用銪離子為光譜學(xué)探針,證實了Eu3+在TiO2中多格點位置以及Eu3+的局域結(jié)構(gòu)對稱性從原先的D2d降低到D2和C2v的事實(J. Phys. Chem. C, 2008, 112, 10370);在Sm3+、Nd3+摻雜的TiO2納米晶中,實現(xiàn)了從TiO2基質(zhì)到Sm3+和Nd3+的高效能量傳遞(J. Phys. Chem. C, 2009, 113, 8772);在稀土摻雜ZnO(Opt. Express, 2009, 17, 9748; J. Phys. Chem. C, 2008, 112, 686)、SnO2 (Opt. Lett. 2009, 34, 1873)、In2O3(J. Phys. Chem. C,2010, 114, 9314)等半導(dǎo)體納米發(fā)光材料的研究中也取得了系列進展。

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